Eklemli (Jonksiyonlu) transistörler, üç bölgeye ve iki ekleme sahip yarı iletken devre elemanı olarak tanımlanır.
Transistörüretilmesinde yararlanılan yarı iletkenlerin yüzey birleşimli olarak üretilmesi ile imal edilen transistörlere “BJT (bipolar jonksiyon transistör)” adı verilir. BJT transistörler PNP ve NPN olarak iki türe sahiptir.
PNP tipi için; emiter pozitif, base negatif, kollektör pozitif kristal yapısına sahiptir.
NPN tipi için; emiter negatif, base pozitif, kollektör negatif kristal yapısına sahiptir.
Transistörüniletim durumuna geçmesi (çalışması) için base-emiter arası silisyumdan üretilmiş transistörleriçin 0.7 V, germanyum yarı iletkeni ile üretilmiş transistörler için gerilim farkı 0.3 V olmalıdır.